思考与习题

1.在半导体中有哪几种与光有关的跃迁？利用这些光跃迁可制造出哪些类型的半导体光电子学器件？

2.为什么半导体锗、硅不能用来作为半导体激光器的有源介质，而却是常用的光探测器材料？对近年来有关硅基发光或硅基激光的研究前景作一述评。

3.用量子力学理论证明直接带隙跃迁与间接带隙跃迁半导体相比其跃迁几率大。

4.什么叫跃迁的k选择定则，它对电子在能带间的跃迁速率产生什么影响？

5.影响光跃迁速率的因素有哪些？

6.推导伯纳德-杜拉福格条件，并说明其物理意义。

7.比较求电子态密度与光子态密度的方法与步骤的异同点。

8.在半导体中重掺杂对能带结构、电子态密度、带隙、跃迁几率等带来什么影响？

9.证明（fc-fv）/fc（1-fv）即为式（1.5-22）的W净（hv）/Wsp（hv）。

10.什么叫俄歇复合？俄歇复合速率与哪些因素有关？为什么在GaInAsP/InP等长波长激光器中，俄歇复合是影响其阈值电流密度、温度稳定性与可靠性的重要原因？

11.比较严格k选择定则与其受到松弛情况下增益-电流特性的区别。

12.带尾的存在对半导体有源介质增益特性产生哪些影响？

13.证明式（1.7-20）。

14.说明图1.7-5和图1.7-6所依据的假设有何不同，并说明它们各自的局限性。