2.3.2 少子电荷分布

由于大量的电子从N区扩散到P区，并且成为P区的少数载流子，因此定义热平衡时的N区多数载流子的电子浓度n_n0 =N_d。从2.1.5节介绍的知识可知，n_n0和n_p0的乘积为常数。

P区少数载流子电子的浓度n_p表示为：

N区少数载流子空穴的浓度p_n表示为：

同理，N 区的 p_n也大于 p_no。因此，正偏 PN结将在空间电荷区的每侧边缘处产生过量的少数载流子，如图2.10 所示。由于少子浓度与正向偏压V_F 呈指数关系，所以施加相对较小的正向偏压也会导致少子浓度的显著增加。特别要注意的是，n_p和p_n的浓度与离开PN结的距离呈指数关系衰减，直到达到各自的热平衡值n_p0和p_n0 ，如图2.10所示。

图2.10 过量少数载流子浓度和电荷分布