1.4　场效应管

一、填空

1.场效应晶体管以　　　　　　控制　　　　　　，属于　　　　　控制型半导体器件。

2.场效应晶体管的导电过程仅仅取决于　　　　载流子的运动，故又称其为　　　　　晶体管。

3.场效应晶体管按其结构的不同，可分为　　　　　和　　　　两大类型。

4.场效应晶体管的栅极电流　　　　　　，所以输入电阻　　　　。

5.绝缘栅场效应管分为　　　　　型和　　　型两类，各类又有　　　沟道和　　　　沟道两种。

6.场效应管分为　　　　区、　　　　区、　　　　区和　　　　区四个区域。作为放大器件使用时，应工作在　　　　区。

7.N沟道增强型MOS管的栅源电压为　　　　时能控制漏极电流，耗尽型MOS管的栅源电压为　　　　或为　　　　时均能控制漏极电流。

8.开启电压U_T是指v_DS为定值时，使　　　　MOS管　　　　的栅源电压。夹断电压U_P是指v_DS为定值时，使　　　　MOS管　　　　时的栅源电压。

9.　　　MOS管开启电压U_GS（th）>0，　　　MOS的开启电压U_GS（th）<0。

10.　　　MOS管夹断电压U_GS（off）>0，　　　MOS的夹断电压U_GS（off）<0。

11.使用场效应晶体管时，应特别注意对　　　极的保护，尤其是绝缘栅管，在不用时应将三个电极　　　。

12.场效应管的低频跨导，表征　　　　对　　　　控制能力的重要参数，是表征场效应晶体管放大能力的一个重要参数。

二、选择

1.绝缘栅场效应晶体管和结型场效应晶体管的不同点在于它们的导电机构。结型是利用（　　）来改变导电沟道宽窄，绝缘栅型是利用（　　）来改变导电沟道宽窄，从而达到控制漏极电流的目的。

A.栅极所加电压产生的垂直电场

B.反偏PN结的内电场

C.漏源电压u_DS

2.场效应管的三个电极中，用D表示的电极称为（　　），用S表示的电极称为（　　），用G表示的电极称为（　　）。

A.栅极

B.源极

C.基极

D.漏极

3.欲使结型场效应晶体管正常工作，应在栅极与源极之间加（　　）电压。

A.正偏

B.反偏

C.零偏

4.图1-12（a）、（b）分别代表（　　）绝缘栅场效应管。

A.P沟道增强型与N沟道耗尽型

B.N沟道增强型与N沟道耗尽型

C.N沟道耗尽型与P沟道增强型

D.P沟道耗尽型与N沟道增强型

5.场效应管的转移特性曲线反映的是（　　）之间的关系。

A.u_DS与i_D

B.u_BE与i_B

C.u_CE与i_C

D.u_GS与i_D

6.场效应管的输出特性曲线反映的是（　　）之间的关系。

A.u_GS与i_D

B.u_DS与i_D

C.u_DS与i_C

D.u_CE与i_C

7.场效应晶体管自生偏置电路中的电阻R_g的作用是（　　）。

A.提供偏置电压

B.提供偏置电流

C.防止输入信号短路

D.泄放栅极可能出现的感应电荷，以防管子击穿

三、分析

1.电路如图1-13所示，试判断各管子的类型和工作电压极性，将判断结果填入表1-2。

2.各场效应晶体管的漏极特性或转移特性曲线如图1-14所示，试判别各管类型，并指出其夹断电压U_GS（off）或开启电压U_GS（th）、饱和漏电流I_DSS的大小。将判别结论填入表1-3（或用“√”标记）。

3.如图1-15所示的三个电路，选择合适的MOS场效应晶体管，将适用的管子类型填入表1-4，并将各电路图补充完整。

4.场效应晶体管的转移性曲线如图1-16所示，在保持u_DS=10V的情况下，u_GS从-1V变化到-2V时，i_D相应地从2mA变化到0.8mA。试问该管子的跨导g_m等于多少？